产品系列

core product
碳化硅二极管(SiC SBD)
SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。因此,在汽车应用,工业应用,通信电源和数据中心,SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。谱析光晶半导体在650V,1200V,1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品,且在不同载流能力和封装形式上,产品目录齐全,可以为客户提供全方位的选择。
Part NumberStatusBlocking VoltagePackageConfiguration ID(A)Qc(nC) Cj(pF)Datasheet
PXSD16120T2 Active1 1200 TO247-2 single 16 95 1100
PXSD32120T3 Active1 1200 TO247-3 double 32 95 1100
PXSD20120T3 New 1200 TO247-3 double 20 41 700
PXSD20120T1 Active1 1200 TO220-2 single 20 98 1100
PXSD20120T2 Active1 1200 TO247-2 single 20 98 1100
PXSD40120T3 Active1 1200 TO247-3 double 40 98 1100
PXSD40120T2 Active2 1200 TO247-2 single 40 250 2660
PXSD50120T2 Active2 1200 TO247-2 single 50 143 3100
PXSD26170T2 Active2 1700 TO247-2 single 26 82 1700
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