SIC SBD - 产品系列 - 杭州谱析光晶半导体科技有限公司【官网】

碳化硅二极管（SiC SBD）

SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。因此，在汽车应用，工业应用，通信电源和数据中心，SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。谱析光晶半导体在650V，1200V，1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品，且在不同载流能力和封装形式上，产品目录齐全，可以为客户提供全方位的选择。

Part Number	Status	Blocking Voltage	Package	Configuration	ID（A）	Qc（nC）	Cj（pF）	Datasheet
PXSD06065T1	Active1	650	TO220-2	single	6	20	350	PDF
PXSD08065T1	Active1	650	TO220-2	single	8	23	338
PXSD10065T1	Active1	650	TO220-2	single	10	30	455
PXSD10065T2	Active1	650	TO247-2	single	10	30	455
PXSD16065T3	Active2	650	TO247-3	double	16	22	520
PXSD20065T3	Active1	650	TO247-3	double	20	30	455
PXSD30065T2	Active2	650	TO247-2	single	30	67	1800
PXSD60065T3	Active2	650	TO247-3	double	60	67	1800
PXSD50065T2	Active2	650	TO247-2	single	50	110	2390
PXSD20090T2	Active1	900	TO247-2	single	20	106	1362
PXSD40090T3	Active1	900	TO247-3	double	40	106	1362
PXSD03120T1	Active2	1200	TO220-2	single	3	9.5	200
PXSD05120T1	Active2	1200	TO220-2	single	5	18.5	340
PXSD06120T1	Active2	1200	TO220-2	single	6	19	385
PXSD08120T1	Active1	1200	TO220-2	single	8	31	356
PXSD08120T2	Active1	1200	TO247-2	single	8	31	356
PXSD16120T3	Active1	1200	TO247-3	double	16	31	356
PXSD10120T1	New	1200	TO220-2	single	10	41	700
PXSD12120T3	Active2	1200	TO247-3	double	12	19	385
PXSD15120T2	New	1200	TO247-2	single	15	62	1060

SIC SBD