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碳化硅芯片设计工程师

2022-05-17 来源:人事总监

岗位职责:
1.进行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定;
2.器件封装,测试,特性及失效分析;
3.工艺和设计方案优化,提高产品性能及良率;

岗位要求:
1.本科及以上学历,具备半导体物理和半导体器件物理背景,熟悉MOSFET,IGBT, SBD等功率半导体的产品开发流程;
2.具备1年以上半导体器件仿真经验;
3.具有在芯片/器件企业中仿真设计器件经验者优先,有Synopsys或Silvaco工艺仿真软件使用经验者优先;
4.具有Wafer Fab实际经验和MOSFET,IGBT, SBD等功率半导体产品的实际开发/生产经验;
5.熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)。

福利待遇:

1、提供行业内有竞争力的薪酬待遇,有能力者薪酬不设上限,同时提供签字费,过节费,项目奖,季度奖,年终奖,期权奖励,薪资优厚;


工作地点:杭州或北京或深圳

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